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再下一城!优睿谱薄膜厚度测量设备成功交付
公司新闻     发布时间:2023-12-05

优睿谱半导体设备(无锡)电玩城下载app(简称“优睿谱”)继成功推出晶圆电阻率量测设备SICV200后,近日又成功交付了客户一款薄膜厚度测量设备Eos200DSR


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                                                                                                      图一:Eos200DSR在客户FAB

优睿谱Eos200DSR是一款兼容8/6寸晶圆尺寸,用于测量SOI(Silicon-On-Insulator)晶圆表面多层不同材料薄膜厚度的全自动化设备。其中一个应用是同时测量SOI晶圆的二氧化硅(BOX)和宽范围顶层硅厚度。Eos200DSR可以在测量几十纳米至几微米的BOX的同时,完成小于1微米至几百微米的顶层硅厚度的测量。


该设备也可以应用于其它材料的薄膜量测要求,比如新崛起的硅基铌酸锂等。


优睿谱Eos200DSR(6&8寸晶圆)和Eos300DSR(12寸晶圆)是完全符合SEMI标准的全自动方案,可直接对接客户工厂MES系统,以实现自动化生产。


此前,优睿谱已陆续推出半导体专用FTIR(傅立叶变换红外光谱)测量设备系列:

  • 适用于硅基外延层膜厚测量设备Eos200 /Eos300

  • 适用于硅基元素浓度(B/P/F)测量设备Eos200+/Eos300+

  • 通过优化的硬件设计(更新的红外光谱仪技术)配合自主开发的算法实现对碳化硅(SiC)外延层膜厚及外延缓冲层膜厚测量设备的Eos200L

  • 通过优化的硬件设计(更新的红外光谱仪技术)配合自主开发的Global Fitting Algo.TM算法技术实现碳化硅多层(≥3层)外延膜厚测量设备Eos 200L+

  • 硅材料中C/O含量测量设备Helios

  • 优睿谱发布的SICV200晶圆电阻率量测设备不仅实现了完全对标国外供应商的测试性能,同时完成了设备供应链的国产化目标。


优睿谱近期推出的碳化硅衬底片位错及微管检测设备SICD200s/SICD200,将IC行业缺陷检测中的线扫描技术(Line Scan)引入碳化硅衬底片中位错和微管检测,较于传统的面扫技术,优睿谱的SICD系列设备可快速实现整片晶圆的全扫描(全片扫描时间≤7分钟),大幅提升客户端检测效率,同时保证检测结果的真实性和可靠性,为碳化硅衬底晶圆的质量保驾护航。


优睿谱成立于2021年,由长期从事于半导体行业的海归博士领衔,协同半导体前道制程量测设备技术团队共同发起成立,致力于打造高品质的半导体前道量测设备。



  • 公司地址
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  • 联系方式
    服务热线:销售经理:冯忠平 15895446509
    联系邮箱:service@avantsemi.com.cn
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