SICV200P是集成了Si和SiC高温涨膜处理和测量Si和SiC衬底以及同质外延层电性参数的设备；
SICV200P可以测试材料的电容，电阻率，载流子掺杂浓度，耗尽层深度，德拜长度，小相位角，电导等参数；
SICV200P可用于监控外延/拉晶工艺中载流子掺杂量和载流子的分布状况；
SICV200P 全自动的传输机构能够提升测试的效率和晶圆放置的位置的准确性。
优势
集成了CV测试前处理以及CV测试功能，实现自动化处理和测试Si片
解决了CV测试前处理不稳定的问题
可通过清洗，处理Si片表面金属的残留问题
针对客户在使用国外同类产品的痛点以及客户提出的改进建议，SICV设备均作了相应的改进和优化
手动更换接触金属的方式可以缩短PM的时间，设备测试的稳定性和动用率都有提升
特征
根据客户的需求可灵活的定制半自动方案以及符合SEMI标准的全自动方案
自主开发CRT40电容表具备良好的稳定性和精度
变频分析支持 20kHz to1MHz
支持各种不同尺寸晶圆
